產品概述:TMR21XX系列TMR線性磁場傳感器芯片采用了推挽式惠斯通電橋結構,當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時,傳感器的輸出電壓隨外加磁場線性地變化。TMR21XX系列線性磁場傳感器芯片采用SOT23-5的封裝形式,具有體積小和容易焊接的特點。該系列包括TMR2108、TMR2109、TMR2110和TMR2111四款TMR線性磁場傳感器芯片。
產品特性:(1)隧道磁電阻(TMR)技術;(2)非線性度:±0.5 %;(3)寬線性范圍;(4)寬工作電壓范圍:0.5 V ~ 7 V;(5)低磁滯;(6)高頻響:可達500 kHz;(7)工作溫度 -40 °C ~ +125 °C。
典型應用:(1)磁力計;(2)電流傳感器;(3)位置傳感器;(4)角度傳感器;;(5)磁導航。