產品概述：TMR2501采用了一個獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計，包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件，可感應垂直于芯片表面的磁場。當外加磁場沿垂直于芯片表面方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出。在-55℃~+150℃范圍內，TMR2501的敏感度和失調電壓可保持在一個穩定的水平。TMR2501性能優越，采用兩種封裝形式：TO94和SSIP4。

產品特性：（1）隧道磁電阻(TMR)技術；（2）高靈敏度；（3）低功耗；（4）優越的溫度穩定性；（5）極低的磁滯；（6）寬工作電壓范圍

典型應用：（1）磁力計；（2）電流傳感器；（3）位置傳感器。

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