產品概述：TMR2103采用了一個獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計，包含四個非屏蔽高靈敏度TMR傳感器元件。當外加磁場沿平行于傳感器敏感方向變化時，惠斯通全橋提供差分電壓輸出，并且該輸出具有良好的溫度穩定性。TMR2103性能優越，采用兩種封裝形式：SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）和DFN8（3mm × 3mm × 0.75mm）。

產品特性：（1）隧道磁電阻(TMR)技術；（2）高靈敏度；（3）寬動態范圍；（4）更低功耗；（5）優越的溫度穩定性；（6）更低的磁滯；（7）寬工作電壓范圍

典型應用：（1）磁力計；（2）電流傳感器；（3）工業流量計；（4）位置傳感器；（5）角度傳感器

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